طراحی یک آمپلی فایر با قابلیت تغییر بهره و پهنای باند وسیع مستقل از بهره در پروسس 0.5mn

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه
  • نویسنده مهتا جنابی
  • استاد راهنما خیرالله حدیدی
  • تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
  • سال انتشار 1378
چکیده

در این پایان نامه مراحل طراحی یک vga (variable gain amplfier) یا تقویت کننده بهره متغیر توصیف گردیده است . برای طراحی این مدار از پروسس 0.5um در تکنولوژی cmos استفاده شده است . این vga بسیار خطی بوده و برای تغییرات بهره نیازی به خازن و مقاومت اضافی ندارد. این امر خود باعث کاهش سطح فعال (active area) تراشه (chip) و همچنین با عث کاهش توان مصرفی شده است . مدار دارای باندی پهن بوده و اندازه آن مستقل از تغییرات بهره است . بنابراین در بهره های مختلف ، پهنای باند -3db آن ثابت می باشد. محدود تغییرات بهره این مدار بزرگ بوده و همچنین بهره آن تا حد زیادی مستقل از تغییرات دما می باشد. بعد از طراحی این vga، به منظور افزایش بهره ماکزیمم و محدوده تغییرات آن، ترکیب cascade از vgaها نیز مورد بررسی و استفاده قرار گرفته است . vga طراحی شده دارای بهره ماکزیمم حدود 20db بوده و محدودیت تغییرات آن از0 تا 20db می باشد. اندازه ولتاژ تغذیه بکار رفته 3.3volt و توان مصرفی آن در حدود 25mw می باشد. پهنای باند 300mhz مدار در حدود است . نتیجه شبیه سازی اعوجاج هارمونیکی کل در حالت مینیمم بهره، برای یک سوئینگ خروجی 700mvp-p حدود -48db است . در حالت ماکزیمی بهره برای همین میزان سوئینگ خروجی اعوجاج -60db می باشد. سطح layout برای vga فشرده بوده و اندازه آن (0.14mmx0.12mm) می باشد. برای مدار cascade، بهره ماکزیمم حدود 28db بدست آمده، که محدوده تغییرات آن نیز از0 تا 28db است . پنهای باند -3db در این مدار 270mhz و توان مصرفی آن در حدود 40mw می باشد. اعوجاج هارمونی کل در حالت مینیمم بهره، برای یک سوئینگ خروجی -59db, 700mvp-p است . سطح فعال این chip نیز در حدود (0.14mmx0.26mm) می باشد.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

طراحی و آنالیز آمپلی فایر مایکروویو باند وسیع با بهره ثابت

طراحی تقویت کننده های مایکروویو باند وسیع در حالت کلی همانند تک فرکانسی است . بدین معنی که طراحی می تواند براساس ‏‎opg(operating power gain)‎‏ یا ‏‎apg(available power gain)‎‏ ثابت باشد. همانند حالت تک فرکانسی طراحی می تواند براساس ‏‎vswr‎‏ دلخواه یا عدد نویز مشخص صورت گیرد. در تمامی موارد فوق مساله در نهایت منجر به بهینه کردن یک تابع خطا می گردد. که مجهول آن امپدانس مدار تطبیقی است ، که در ورو...

15 صفحه اول

طراحی پیش تقویت‌کننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60

در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

متن کامل

افزایش پهنای باند آنتن تشدیدی عایقی با بهره گیری از پهنای متغیر ساختار

در این مقاله ساختار آنتن تشدیدی عایقی مستطیلی، تغذیه شده توسط یک خط مایکرواستریپ بررسی و تکنیکهای بهبود رفتار آن مرور شده است. بدین منظور نحوه عملکرد تشعشعی آنتن عایقی مطالعه و روشهای مختلف بهبود آن و بطور خاص افزایش پهنای باند آن بررسی شده است. سپس ساختار جدیدی با هدف افزایش پهنای باند امپدانسی آن پیشنهاد شده است. در ساختار معرفی شده با بهره گیری از ساختاری یکپارچه ولی چندبخشی با ابعاد مختلف، ...

متن کامل

طراحی تقویت کننده قدرت باند vhf با پهنای باند وسیع

امروزه استفاده از فرستنده های رادیویی نیمه هادی نیز همانند فرستنده های لامپی متداول بوده و حتی به دلیل برخی ویژگی های خاص مانند نویز کمتر، استفاده از منابع تغذیه با ولتاژ پایین تر و قابلیت نگهداری و تعمیر پذیری ساده تر در کاربردهای خاص، نسبت به فرستنده های لامپی ارجعیت دارند. یکی از اجزای اصلی فرستنده های رادیویی نیمه هادی، تقویت کننده های قدرت rf می باشند. پارامترهای مختلفی در تقویت کننده های ...

15 صفحه اول

طراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023